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| Artikelnummer: | IR2112SPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.9972 |
| 10+ | $2.9273 |
| 30+ | $2.8803 |
| 100+ | $2.8346 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 10V ~ 20V |
| Supplier Device-Gehäuse | 16-SOIC |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 80ns, 40ns |
| Verpackung / Gehäuse | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 6V, 9.5V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | High-Side or Low-Side |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 250mA, 500mA |
| Ladestrom | Independent |
| Grundproduktnummer | IR2112 |
| IR2112SPBF Einzelheiten PDF [English] | IR2112SPBF PDF - EN.pdf |




IR2112SPBF
Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Händler von Infineon Technologies, einem führenden Hersteller von Leistungsmanagement- und Halbleiterlösungen. Wir sorgen dafür, dass unsere Kunden die besten Qualitätsprodukte und Serviceleistungen erhalten.
Der IR2112SPBF ist ein Hoch- und Niederspannungs-Gate-Treiber-IC, der entwickelt wurde, um IGBT- und N-Kanal-MOSFET-Leistungsschalter zu steuern. Er verfügt über unabhängige Hoch- und Niederspannungs-Treiber mit Bootstrap-Versorgung für den Hochseitentreiber.
Getriebene Konfiguration: Hochseitig oder Niederseitig
Kanaltyp: Unabhängig
Anzahl der Treiber: 2
Gates: IGBT, N-Kanal-MOSFET
Versorgungsspannung: 10V ~ 20V
Logikspannung VIL, VIH: 6V, 9,5V
Spitzenstromausgang (Quelle, Senke): 250mA, 500mA
Eingangstyp: Nicht-Invertierend
Max. Hochseitenspannung (Bootstrap): 600 V
Anstiegs/ Abfallzeit (Typ): 80ns, 40ns
Betriebstemperatur: -40°C bis 150°C (TJ)
Vielseitiger Gate-Treiber für IGBTund N-Kanal-MOSFET-Leistungsschalter
Unabhängige Hochund Niederspannungstreiber für flexible Steuerung
Bootstrap-Versorgung für den Betrieb des Hochseitentreibers
Breiter Versorgungsspannungsbereich und hohe Hochseitenspannungskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten für effiziente Stromumwandlung
Der IR2112SPBF ist in einem 16-SOIC-Gehäuse (0,295 Zoll, 7,50 mm Breite) für die Oberflächenmontage verpackt.
Der IR2112SPBF wird für neue Designs nicht mehr empfohlen. Es sind jedoch gleichwertige und alternative Modelle von Infineon Technologies erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
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Das aktuellste Datenblatt für den IR2112SPBF ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte Produktdetails und Leistungsinformationen zu erhalten.
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IR DIP16
IR DIP-14
IR2112-2PBF. IR
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
IR2113-2PBF IR
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
IR2112-1PBF. IR
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16DIP
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
IR2112STRPBF. IR
IR SOP
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16DIP
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16DIP
IR2112PBF(black) IR
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
IR2112PBF. IR
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