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| Artikelnummer: | HUF76629D3S |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Harris Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.7165 |
| 200+ | $0.2775 |
| 500+ | $0.2689 |
| 1000+ | $0.2632 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | UltraFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1285 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |




HUF76629D3S
Harris Corporation - Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von Harris Corporation Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der HUF76629D3S ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus Harris Corporation's UltraFET™-Serie. Er zeichnet sich durch hervorragende Schalteigenschaften und hohe Leistungsfähigkeit aus und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich des Energiemanagements und der Steuerung.
N-Kanal-MOSFET
MOSFET-Technologie (Metall-Oxid-Halbleiter)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) bei 25°C: 20A (Tc)
Niediger On-Widerstand (Rds On): 52 mOhm bei 20A, 10V
Schnelle Schaltfähigkeit
Breiter Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 175°C (TJ)
Oberfläche-Montage-Gehäuse (TO-252 DPAK)
Herausragende Leistungsfähigkeit und Effizienz
Zuverlässiger und langlebiger Betrieb
Geeignet für vielfältige Anwendungen im Energiemanagement
Einfache Integration in Schaltungen
Verpackungsart: Tube
Gehäuse/Typ: TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper), SC-63
Pin-Konfiguration: Oberflächenmontage
Thermische Eigenschaften: 110W (Tc)
Elektrische Eigenschaften: Vgs (Max) ±16V, Eingangskapazität (Ciss) 1285 pF bei 25 V, Gate-Charge (Qg) 46 nC bei 10 V
Dieses Produkt ist veraltet.
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Energieverwaltung und Steuerung
Motorantriebe
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Industrieund Automobiltechnik
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N-CHANNEL POWER MOSFET
HUF76629 F
MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
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MOSFET N-CH 100V 20A TO252
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