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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedPBRN123YK,115
PBRN123YK,115 Image
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.

NXP Semiconductors / Freescale PBRN123YK,115

Artikelnummer: PBRN123YK,115
Hersteller / Marke: NXP Semiconductors / Freescale
Teil der Beschreibung.: TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Datenblätte:
1.PBRN123YK,115.pdf ···

Datenblätte

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  • NXP Semiconductors / Freescale PBRN123YK,115 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP Semiconductors / Freescale PBRN123YK,115 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40V
    VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.15V @ 8mA, 800mA
    Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
    Supplier Device-Gehäuse SMT3; MPAK
    Standardpaket 3,000
    Serie -
    Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
    Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms
    Leistung - max 250mW
    Teilstatus Obsolete
    Verpackung Tape & Reel (TR)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Andere Namen 934058962115
    PBRN123YK T/R
    PBRN123YK T/R-ND
    Befestigungsart Surface Mount
    Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
    Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
    detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 600mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
    DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 500 @ 300mA, 5V
    Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
    Strom - Kollektor (Ic) (max) 600mA
    Basisteilenummer PBRN123
    PBRN123YK,115 Einzelheiten PDF [English] PBRN123YK,115 PDF - EN.pdf
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    - Foto der Teile
    - Kurze Erklärung oder Prüfbericht mit Angabe des Rücksendegrundes
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  • Vipe***rcuit

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