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| Artikelnummer: | FQT7N10LTF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1256 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-223-4 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 850mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.7A (Tc) |
| FQT7N10LTF Einzelheiten PDF [English] | FQT7N10LTF PDF - EN.pdf |




FQT7N10LTF
onsemi
Der FQT7N10LTF ist ein N-Kanal-MOSFET von onsemi, einem führenden Hersteller hochwertiger Halbleiterprodukte. Dieses Bauteil gehört zur QFET®-Serie und ist für eine breite Palette von Anwendungen ausgelegt.
N-Kanal-MOSFET
MOSFET-Technologie (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V
Kurzschluss-Strom (Id) bei 25°C: 1,7A (Tc)
Geringer On-Widerstand (Rds On): 350mOhm bei 850mA, 10V
Gate-Ladung (Qg) (Max) bei Vgs: 6 nC bei 5V
Breiter Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C (TJ)
Herausragende Leistung und Zuverlässigkeit
Vielseitig einsetzbar für zahlreiche Leistungsanwendungen
Kompaktes Oberflächenmontage-Gehäuse
Reel-Verpackung (Tape & Reel, TR)
Gehäuse: SOT-223-4 / TO-261-4, TO-261AA
Das FQT7N10LTF ist ein aktives Produkt.
Vergleichbare oder alternative Modelle können verfügbar sein; kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Netzteile
Motoransteuerung
Schaltkreise
Industrielle Anwendungen
Das aktuellste Datenblatt für den FQT7N10LTF ist auf unserer Website verfügbar.
Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Details zu erhalten.
Fordern Sie jetzt ein Angebot für den FQT7N10LTF auf unserer Website an.
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0
FQT7N10 F
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
F SOT-223
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
VBSEMI SOT223-3
ON SOT223
FAIRCHILD TO-223
FAIRCHILD SOT-223
FQT5P10 F
FAIRCHILD SOT223
FAIRCHILD SOT223
FAIRCHILD SOT-223
FQT7N10L F
FAIRCHILD SOT-223
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VBSEMI SOT-223
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FQT7N10LTFFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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