Deutsch

| Artikelnummer: | FQT4N25TF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.411 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-223-4 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 415mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 830mA (Tc) |
| FQT4N25TF Einzelheiten PDF [English] | FQT4N25TF PDF - EN.pdf |




FQT4N25TF
onsemi ist ein Qualitätslieferant der Marke, und Y-IC bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FQT4N25TF ist ein Hochvolt-N-Kanal-MOSFET von onsemi. Er eignet sich für verschiedene Anwendungen in der Leistungsumwandlung und Steuerung.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 250 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 830 mA
Maximale On-Widerstand von 1,75 Ohm
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für verbesserte Effizienz
Weit gefasster Betriebstemperaturbereich
Tapingund Reel-Verpackung (TR)
Oberflächenmontage (SMT) SOT-223-4-Gehäuse
TO-261-4, TO-261AA-Gehäuse
Der FQT4N25TF ist ein veraltetes Produkt, jedoch sind gleichwertige und alternative Modelle erhältlich. Kunden werden empfohlen, das Y-IC-Vertriebsteam für weitere Informationen zu kontaktieren.
Anwendungen in der Leistungsumwandlung und Steuerung
Motorantriebe
Schaltende Netzteile
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das wichtigste und zuverlässigste Datenblatt für den FQT4N25TF ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es von der aktuellen Produktseite herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den FQT4N25TF auf der Y-IC-Website einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie ein zeitlich begrenztes Angebot, indem Sie die Produktseite besuchen.
FQT5P10 F
ON SOT223
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
FQT4N20L FAIRCHI
FAIRCHILD SOT223
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
FAIRCHILD TO-223
FAIRCHILD SOT223
FAIRCHILD SOT-223
MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
FAIRCHILD SOT-223
FQT4N25 FAI
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0
FQT4N20 FSC
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
VBSEMI SOT223-3
FAIRCHILD SOT-223
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/08/1
2025/01/27
2025/04/17
2024/04/13
FQT4N25TFFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|