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| Artikelnummer: | FQT7N10TF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.6528 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-223-4 |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 850mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.7A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQT7N10 |
| FQT7N10TF Einzelheiten PDF [English] | FQT7N10TF PDF - EN.pdf |




FQT7N10TF
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte von onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FQT7N10TF ist ein N-Kanal MOSFET aus der QFET®-Serie von onsemi. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 100 V und einen Dauer-Durchlassstrom von 1,7 A.
– N-Kanal MOSFET
– 100 V Drain-Source-Spannung
– 1,7 A Dauer-Durchlassstrom
– QFET®-Serie
– Zuverlässige Leistung
– Effizientes Strommanagement
– Kompakte Oberflächenmontagegehäuse
Der FQT7N10TF wird im Tape & Reel (TR) Format geliefert. Das Gehäuse ist ein Oberflächenmontagegehäuse, SOT-223-4 oder TO-261-4, TO-261AA Typ.
Der FQT7N10TF ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden gebeten, sich über unsere Webseite an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Netzteile
Motorsteuerung
Verstärker-Schaltungen
Schaltanwendungen
Das offizielle Datenblatt für den FQT7N10TF steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, ein Angebot auf unserer Webseite anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot für dieses Produkt an.
FAIRCHILD TO-223
FAIRCHILD SOT223
FAIRCHILD SOT-223
FQT7N10L F
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
F SOT-223
VBSEMI SOT-223
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQT7N10 F
FAIRCHILD SOT-223
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
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FAIRCHILD SOT-223
ON SOT223
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FQT7N10TFonsemi |
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