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| Artikelnummer: | 1N4007C.B.O. |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | EIC Semiconductor, Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 5000+ | $0.1207 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1000 V |
| Technologie | Standard |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-41 |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 2 µs |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Verpackung / Gehäuse | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Paket | Bag |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Strom - Richt (Io) | 1A |
| Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |




DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
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DIODES DO-41
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1N4007F M7 Plingsemi
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1N4007C.B.O.EIC SEMICONDUCTOR INC. |
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Zielpreis (USD)
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