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| Artikelnummer: | ZXMN10A11KTC |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.6121 |
| 200+ | $0.2449 |
| 500+ | $0.2363 |
| 1000+ | $0.2321 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2.6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.11W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 274 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.4A (Ta) |
| Grundproduktnummer | ZXMN10 |
| ZXMN10A11KTC Einzelheiten PDF [English] | ZXMN10A11KTC PDF - EN.pdf |




ZXMN10A11KTC
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N-Kanal 100V 2,4A (Ta) 2,11W (Ta) Oberflächenmontage MOSFET im Gehäuse TO-252-3
N-Kanal MOSFET
100V Drain-Source-Spannung
2,4A Dauer-Drain-Strom
2,11W Drain-Source-On-Widerstand
Oberflächenmontagegehäuse TO-252-3
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für effizientes Schalten
Oberflächenmontagegehäuse für platzsparendes Design
Spule & Band (Tape & Reel, TR) Verpackung
Gehäuse TO-252-3 (DPak) für Oberflächenmontage
2 Anschlüsse + Kontaktfahne
Gehäusetyp SC-63
Dieses Produkt befindet sich nicht in Kürze am Ende seiner Lebensdauer.
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