Deutsch

| Artikelnummer: | ZXMN10A11GTC |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.2207 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-223-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2.6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 274 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.7A (Ta) |
| ZXMN10A11GTC Einzelheiten PDF [English] | ZXMN10A11GTC PDF - EN.pdf |




ZXMN10A11GTC
Diodes Incorporated, ein Qualitätsdistributor dieser Marke, stellt Kunden die besten Produkte und Services bereit.
Der ZXMN10A11GTC ist ein diskreter N-Kanal-MOSFET-Transistor, der für Standardanwendungen entwickelt wurde.
– N-Kanal-MOSFET
– 100 V Drain-Source-Spannung
– 1,7 A Dauer-Drain-Strom
– 350 mOhm On-Widerstand
– 4 V Gate-Source-Schwellen-Spannung
– 5,4 nC Gate-Ladung
– 274 pF Eingangskapazität
– Hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit
– Geringer On-Widerstand für effizienten Stromumschaltung
– Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Standardanwendungen
– Gehäuse: SOT-223
– Verpackung: Band & Reel (TR)
– Thermische Eigenschaften: Maximaler Leistungsverbrauch (Power Dissipation) von 2W bei Umgebungstemperatur
– Elektrische Eigenschaften: 100 V Drain-Source-Spannung, 1,7 A Dauer-Drain-Strom
Der ZXMN10A11GTC ist ein aktiv geführtes Produkt; es gibt gleichwertige oder alternative Modelle. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
– Allzweck-Leistungsumschaltungen
– Verstärker-Schaltungen
– Netzteile
– Motorsteuerungen
– Automotive Elektronik
Das umfassendste Datenblatt für den ZXMN10A11GTC steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte Produktinformationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt!
ZETEX TO-252
MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Diodes TO-252
DIODES TO-252
ZETEX TO252-3
Z SOT-223
MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
DIODES SOT223
DIODES SOT223-3
ZXMN10A09K ZXTN
ZXMN10A25G DIODES
ZXMN10A09 ZTX
MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
DIODES SOT-223
ZXMN10A11G DIODES
ZXMN10A25GTC Z
MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/04/4
2025/01/21
2025/02/10
2024/06/14
ZXMN10A11GTCDiodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|