Deutsch

| Artikelnummer: | ZXMN10A08GTA |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.2058 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | SOT-223-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 3.2A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 405 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A (Ta) |
| Grundproduktnummer | ZXMN10 |
| ZXMN10A08GTA Einzelheiten PDF [English] | ZXMN10A08GTA PDF - EN.pdf |




ZXMN10A08GTA
Diodes Incorporated
Der ZXMN10A08GTA ist ein N-Kanal-MOSFET Transistor von Diodes Incorporated. Er wurde für eine Vielzahl von Anwendungsbereichen in der Leistungsverwaltung und Steuerung entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 100 V
Dauerhafter Drain-Strom von 2 A
Maximale On-Widerstand von 250 mOhm
Maximale Gate-Ladung von 7,7 nC
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Effiziente Stromversorgung
Zuverlässige Leistung
Breiter Betriebstemperaturbereich
Tap & Reel Verpackung
Oberflächenmontage SOT-223-3 Verpackung
TO-261-4, TO-261AA Verpackung
Der ZXMN10A08GTA ist ein aktives Produkt.
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam auf unserer Webseite für weitere Informationen.
Leistungsmanagement
Schaltkreise
Motorsteuerung
Allgemeine Steuerungsund Schaltanwendungen
Das umfassendste Datenblatt für den ZXMN10A08GTA steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Es wird Kunden empfohlen, dieses herunterzuladen.
Kunden wird geraten, Angebote auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um mehr über dieses zeitlich limitierte Angebot zu erfahren.
DIODES SOT223-3
ZXMN10A08E6 Zetex
DIODES SOT-223
ZXMN10A09K ZXTN
ZXMN10A11G DIODES
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
ZXMN10A08DN8 ZETEX
Diodes TO-252
Z SOT-223
ZXMN10A08G DIODES
ZETEX TO252-3
ZXMN10A09 ZTX
ZXMN10A08E6T ZETEX
MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/06/18
2024/12/4
2024/11/4
2025/01/21
ZXMN10A08GTADiodes Incorporated |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|