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| Artikelnummer: | IPB009N03LGATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $10.3412 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-7-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 250W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 25000 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 227 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 180A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IPB009 |
| IPB009N03LGATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB009N03LGATMA1 PDF - EN.pdf |




IPB009N03LGATMA1
Infineon Technologies - Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Infineon-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IPB009N03LGATMA1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus Infineons OptiMOS™-Serie. Er wurde für stromintensive Anwendungen entwickelt, die hohe Strom- und Spannungsfähigkeiten erfordern.
– N-Kanal-MOSFET\n– 30 V Drain-Source-Spannung\n– 180 A Dauerfrequenzstrom\n– Geringer On-Widerstand von 0,95 mΩ\n– Hohe Leistungsaufnahme von 250 W
– Hervorragende Energieeffizienz durch niedrigen On-Widerstand\n– Hohe Strom- und Spannungsbelastbarkeit\n– Ideal für stromintensive Anwendungen
– TO-263-7, D2PAK (6 Anschlüsse + Kühltab) Gehäuse\n– Oberflächenmontage-Design\n– Optimiert für thermische und elektrische Leistungsfähigkeit
Das Produkt IPB009N03LGATMA1 ist veraltet. Kunden wird empfohlen, sich an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
– Stromumwandlung\n– Motorsteuerung\n– Industrie- und Automotive-Elektronik
Das aktuellste Datenblatt für den IPB009N03LGATMA1 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsdaten herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IPB009N03LGATMA1 auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
INFINEON TO263-7
TRENCH <= 40V
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB011N04N G INFINEON
IPB011N04LG INFINEON
INFINEON TO-263-7
IPB011N04L G Infineon Technologies
IPB009N03LG INFINEO
IPB009N03L G Infineon Technologies
TRENCH <= 40V
IPB010N06N INFINEON
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
TRENCH 40<-<100V
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IPB011N04L INF
IPB011N04N Infineon
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