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| Artikelnummer: | NGTD5R65F2WP |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 650V DIE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4462 |
| 200+ | $0.1727 |
| 500+ | $0.1666 |
| 1000+ | $0.1636 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 20 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 650 V |
| Technologie | Standard |
| Supplier Device-Gehäuse | Die |
| Geschwindigkeit | - |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | Die |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | 175°C (Max) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 650 V |
| Strom - Richt (Io) | - |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Grundproduktnummer | NGTD5 |
| NGTD5R65F2WP Einzelheiten PDF [English] | NGTD5R65F2WP PDF - EN.pdf |




NGTG15N60S1EG(G15N60S1G) INFINEON
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
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NGTD5R65F2WPonsemi |
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Zielpreis (USD)
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