Deutsch
| Artikelnummer: | NGTD30T120F2SWK |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.5808 |
| 200+ | $2.5473 |
| 500+ | $2.4586 |
| 1000+ | $2.4134 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Testbedingung | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
| Schaltenergie | - |
| Supplier Device-Gehäuse | Die |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | Die |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Grundproduktnummer | NGTD30 |
| NGTD30T120F2SWK Einzelheiten PDF [English] | NGTD30T120F2SWK PDF - EN.pdf |




NGTD30T120F2SWK
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
IGBT-Trench-Feld-Stop mit 1200V für Oberflächenmontage, Silizium-Die
– IGBT-Typ: Trench-Feld-Stop
– Betriebstemperatur: -55°C bis 175°C (TJ)
– Spannungs-Collector-Emitter-Durchbruch (Max): 1200V
– Eingangstyp: Standard
– Verpackung: Band & Reel (TR)
– Puls-Strom (Icm): 200A
– Zuverlässiges und leistungsstarkes IGBT-Element
– Geeignet für einen breiten Temperaturbereich
– Hohe Spannungsdurchbruchfähigkeit
– Industriestandard-Verpackung für einfache Integration
– Verpackungstyp: Band & Reel (TR)
– Material: Nicht spezifiziert
– Größe: Nicht spezifiziert
– Pin-Konfiguration: Nicht spezifiziert
– Thermische Eigenschaften: Nicht spezifiziert
– Elektrische Eigenschaften: Nicht spezifiziert
– Dieses Produkt ist nicht von einer Stilllegung betroffen.
– Derzeit sind keine gleichwertigen oder alternativen Modelle verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über die Y-IC-Website.
– Leistungselektronik
– Industrielle Anwendungen
– Automobilanwendungen
Die offizielle technische Datenblatt für das Modell NGTD30T120F2SWK finden Sie auf der Y-IC-Website. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für das Modell NGTD30T120F2SWK auf der Y-IC-Website einzuholen. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um den besten Preis und die Verfügbarkeit zu sichern.
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
IGBT NPT 600V 30A TO220
IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
DIODE GEN PURP 650V DIE
DIODE GEN PURP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
DIODE GEN PURP 650V DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
DIODE GEN PURP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/07/21
2025/06/24
2025/02/17
2024/12/30
NGTD30T120F2SWKonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|