Deutsch
| Artikelnummer: | NGTD21T65F2SWK |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.5014 |
| 200+ | $0.9694 |
| 500+ | $0.9351 |
| 1000+ | $0.9172 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 45A |
| Testbedingung | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
| Schaltenergie | - |
| Supplier Device-Gehäuse | Die |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | Die |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Grundproduktnummer | NGTD21 |
| NGTD21T65F2SWK Einzelheiten PDF [English] | NGTD21T65F2SWK PDF - EN.pdf |




NGTD21T65F2SWK
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NGTD21T65F2SWK ist ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von onsemi. IGBTs sind Leistungshalbleiter, die die hohe Eingangsimpendanz eines MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) mit der hohen Strombelastbarkeit und niedrigen Sättigungsspannung eines bipolar-transistorschalten.
Trench Feldeinstell-IGBT-Technologie
Spannung Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max.): 650 V
Puls-Collector-Strom (Icm): 200 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic: 1,9 V bei 15 V, 45 A
Hohe Leistungsdichte und Effizienz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringe Leitungsund Schaltverluste
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Der NGTD21T65F2SWK ist als Die verpackt.
Der NGTD21T65F2SWK ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, unser Vertriebsteam über die Website für Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu kontaktieren.
Stromversorgungen
Motorantriebe
Wechselrichter
Schweißgeräte
Leuchtstofflampen
Datenblatt
Das wichtigste technische Datenblatt für den NGTD21T65F2SWK ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
Fordern Sie jetzt ein Angebot für den NGTD21T65F2SWK auf unserer Website an. Begrenztes Angebot!
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
DIODE GEN PURP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
DIODE GEN PURP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
DIODE GEN PURP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
DIODE GEN PURP 650V DIE
DIODE GEN PURP 650V DIE
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/07/21
2025/06/24
2025/02/17
2024/12/30
NGTD21T65F2SWKonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|