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| Artikelnummer: | NGTD8R65F2WP |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 650V DIE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.8026 |
| 200+ | $0.3117 |
| 500+ | $0.2999 |
| 1000+ | $0.294 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.8 V @ 30 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 650 V |
| Technologie | Standard |
| Supplier Device-Gehäuse | Die |
| Geschwindigkeit | - |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | Die |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | 175°C (Max) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 650 V |
| Strom - Richt (Io) | - |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Grundproduktnummer | NGTD8 |
| NGTD8R65F2WP Einzelheiten PDF [English] | NGTD8R65F2WP PDF - EN.pdf |




DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
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NGTD8R65F2WPonsemi |
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Zielpreis (USD)
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