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| Artikelnummer: | NGTD17R120F2SWK |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1.2KV DIE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 35 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1200 V |
| Technologie | Standard |
| Supplier Device-Gehäuse | Die |
| Geschwindigkeit | - |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | Die |
| Paket | Canister |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | 175°C (Max) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 1 µA @ 1200 V |
| Strom - Richt (Io) | - |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Grundproduktnummer | NGTD17 |
| NGTD17R120F2SWK Einzelheiten PDF [English] | NGTD17R120F2SWK PDF - EN.pdf |




DIODE GEN PURP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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IGBT TRENCH FIELD STOP
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
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NGTD17R120F2SWKonsemi |
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Zielpreis (USD)
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