Deutsch
| Artikelnummer: | NGTD13T65F2WP |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.216 |
| 200+ | $0.4703 |
| 500+ | $0.4541 |
| 1000+ | $0.4468 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
| Testbedingung | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
| Schaltenergie | - |
| Supplier Device-Gehäuse | Die |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | Die |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Grundproduktnummer | NGTD13 |
| NGTD13T65F2WP Einzelheiten PDF [English] | NGTD13T65F2WP PDF - EN.pdf |




NGTD13T65F2WP
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NGTD13T65F2WP ist ein IGBT (Isolierter Gate Bipolar Transistor), der für Hochleistungs- und Hochwirkungsgrad-Anwendungen entwickelt wurde. Er verfügt über eine Trench-Feld-Stopp-Struktur für verbesserte Leistung und Zuverlässigkeit.
– Trench-Feld-Stopp-IGBT-Technologie
– Hohe Spannungsfestigkeit von 650 V
– Hoher Pulssammelstrom von 120 A
– Geringer On-State-Spannungsabfall von 2,2 V bei 15 V, 30 A
– Verbesserte Effizienz und Leistung
– Zuverlässiger Betrieb bei Hochleistungsanwendungen
– Geringere Leistungsverluste
Der NGTD13T65F2WP ist in einem Die-Gehäuse erhältlich, was Flexibilität für die spezifischen Designanforderungen der Kunden bietet.
Der NGTD13T65F2WP ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden empfohlen, unsere Verkaufsabteilung über die Website zu kontaktieren, um Informationen zu verfügbaren Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
Stromversorgungen
Motorantriebe
Wechselrichter
Schweißgeräte
Das hochwertigste technische Datenblatt für den NGTD13T65F2WP ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden geraten, es herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsmerkmale zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den NGTD13T65F2WP auf unserer Website anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um unsere zeitlich begrenzte Aktion zu nutzen.
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
ON TO-247
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT 75A 600V TO-247
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
DIODE GEN PURP 650V DIE
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
IGBT FIELD STOP 650V 200A TO247
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
NGTB75N65FL2W ON
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
DIODE GEN PURP 650V DIE
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/06/14
2024/08/22
2023/12/20
2025/03/28
NGTD13T65F2WPonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|