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| Artikelnummer: | NGTB75N60SWG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 75A 600V TO-247 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Testbedingung | 400V, 75A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 110ns/270ns |
| Schaltenergie | 1.5mJ (on), 1mJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247-3 |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 80 ns |
| Leistung - max | 595 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | - |
| Gate-Ladung | 310 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 A |
| Grundproduktnummer | NGTB75 |
| NGTB75N60SWG Einzelheiten PDF [English] | NGTB75N60SWG PDF - EN.pdf |




NGTB75N60SWG
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der NGTB75N60SWG ist ein 600V, 100A IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von onsemi. Er ist für Hochleistungs-Schaltanwendungen wie Motorantriebe, Netzteile und andere industrielle Elektronik konzipiert.
– 600V Kollektor-Emitter-Spannung
– 100A Kollektorstrom
– 200A Puls-Strom
– 2V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
– 1,5mJ Einschalt-Schaltenergie
– 1mJ Ausschalt-Schaltenergie
– 310nC Gate-Ladung
– 110ns Einschalt-Verzugszeit
– 270ns Ausschalt-Verzugszeit
– Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
– Zuverlässige Leistung bei Hochleistungs-Schaltanwendungen
– Geringe Leitungs- und Schaltverluste für verbesserte Effizienz
– Breiter Betriebsbereich für vielseitige Einsatzmöglichkeiten
– Einfache Integration in verschiedene industrielle Designs
Der NGTB75N60SWG ist in einem TO-247-3 Durchsteckgehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet eine robuste und zuverlässige Hülle für den IGBT mit thermischen und elektrischen Eigenschaften, die für Hochleistungsanwendungen geeignet sind.
Der NGTB75N60SWG ist ein veraltetes Produkt, das nicht mehr hergestellt wird. Es gibt jedoch gleichwertige und alternative Modelle von onsemi, die als Ersatz geeignet sind. Kunden werden empfohlen, unser Vertriebsteam über die Website zu kontaktieren, um weitere Informationen zu verfügbaren Optionen zu erhalten.
– Motorantriebe
– Netzteile
– Industrieelektronik
– Schweißanlagen
– USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)
Das aktuellste und zuverlässigsten Datenblatt für den NGTB75N60SWG ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um die detaillierten Spezifikationen und technischen Informationen einzusehen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den NGTB75N60SWG oder entsprechende Modelle auf der Y-IC-Website einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, informieren Sie sich oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um die beste Lösung für Ihre Anwendung zu finden.
ON TO-247
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247
IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
IGBT FIELD STOP 650V 200A TO247
IGBT 600V 75A TO247
ON TO-247
IR TO-247
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
ON TO-247
NGTB75N65FL2W ON
IGBT TRENCH 650V 140A TO247
ON TO-247
IGBT TRENCH FIELD STOP
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT 600V 120A 298W TO247
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