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| Artikelnummer: | NGB8207NG |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | NGB8207NG ON |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | TO263 |
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |
| NGB8207NG Einzelheiten PDF [English] | NGB8207NG PDF - EN.pdf |




NGB8207NG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Der NGB8207NG ist ein Hochspannungs-, Hochstrom-, single-kanal N-Kanal-Leistung-MOSFET-Schalter mit integriertem Gate-Treiber. Er ist für den Einsatz in Hochleistungsanwendungen wie Motorantrieben, Netzteilen und industriellen Steuerungen konzipiert.
Hohe Spannungsfestigkeit bis zu 700 V
Hohe Strombelastbarkeit bis zu 8 A
Integrierter Gate-Treiber für einfache Steuerung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Robustes und zuverlässiges Design
Vereinfachte Schaltungsdesigns durch Integration des Gate-Treibers
Hohe Effizienz und verringerte Leistungsverluste
Verbesserte Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit
Geeignet für ein breites Spektrum an Hochleistungsanwendungen
Gehäusetyp: TO263
Material: Metall/Kunststoff
Maße: 10,16 x 8,89 x 4,6 mm
Pin-Konfiguration: 3 Pins
Thermische Eigenschaften: Geringe thermische Resistanz
Elektrische Eigenschaften: Hohe Spannungsund Stromentlastungskapazitäten
Dieses Produkt befindet sich nicht in der Nähe einer Produktionsende.
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar, wie z. B. NGB8207N, NGB8205N und NGB8203N.
Motorantriebe
Netzteile
Industrielle Steuerungen
Hochleistungs-Elektronik
Das umfassendste Datenblatt für den NGB8207NG ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte Spezifikationen und Leistungsinformationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGNITION IGBT 20 A, 350 V, N-CHA
IGBT 365V 20A 165W D2PAK
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
NGB8207ABNG ON
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
IGBT, 20A, 390V, N-CHANNEL
IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
ON/LITTELFUSE TO-263
IGBT 490V 20A 150W D2PAK3
IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
IGBT IGNITION 350V 20A D2PAK
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
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