Deutsch
| Artikelnummer: | NGB8206NTF4 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 390V 20A 150W D2PAK3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 390 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4.5V, 20A |
| Testbedingung | 300V, 9A, 1kOhm, 5V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | -/5µs |
| Schaltenergie | - |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK |
| Serie | - |
| Leistung - max | 150 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Logic |
| IGBT-Typ | - |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 20 A |
| Grundproduktnummer | NGB820 |
| NGB8206NTF4 Einzelheiten PDF [English] | NGB8206NTF4 PDF - EN.pdf |




NGB8206NTF4
Y-IC ist ein zuverlässiger Distributor von Produkten der Marken AMI Semiconductor / ON Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der NGB8206NTF4 ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Transistor von AMI Semiconductor / ON Semiconductor.
Hochleistungsfähiger, hochspannungsfähiger IGBT-Transistor; Spannungsbereich bis zu 390 V; Strombelastbarkeit bis zu 20 A im Dauerbetrieb, 50 A im Pulsbetrieb; Geringer eingeschlossener Spannungsabfall; Schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Ausgezeichnete Leistungsfähigkeit; Zuverlässige Performance; Effiziente Stromumwandlung; Geeignet für eine Vielzahl von Industrie- und Konsumenten Anwendungen.
Verpackt in D2PAK (TO-263-3, DPak) Oberflächenmontagegehäuse; Tape-and-Reel (TR) Verpackung; Optimal für automatisierte Bestückung.
Dieses Produkt befindet sich derzeit in Produktion; Es sind vergleichbare oder alternative Modelle erhältlich. Kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
Motorantriebe; Netzteile; Wechselrichter; Schweißgeräte; Industrielle Steuerungssysteme.
Das offizielle Datenblatt für den NGB8206NTF4 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden geraten, Angebote über unsere Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT, 20A, 390V, N-CHANNEL
IGBT
IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
NGB8207ABNG ON
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGNITION IGBT 20 A, 350 V, N-CHA
IGBT, 20A, 390V, N-CHANNEL
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
IGBT IGNITION 350V 20A D2PAK
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
NGB8207NG ON
IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT 365V 20A 165W D2PAK
IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/01/23
2024/08/25
2024/11/5
2024/10/8
NGB8206NTF4onsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|