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| Artikelnummer: | NGB8206N |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 390V 20A 150W D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 390 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4.5V, 20A |
| Testbedingung | 300V, 9A, 1kOhm, 5V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | -/5µs |
| Schaltenergie | - |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK |
| Serie | - |
| Leistung - max | 150 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Logic |
| IGBT-Typ | - |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 20 A |
| Grundproduktnummer | NGB820 |
| NGB8206N Einzelheiten PDF [English] | NGB8206N PDF - EN.pdf |




NGB8206N
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten, der Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen bietet.
Der NGB8206N ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von onsemi. Er ist für den Einsatz in verschiedenen Leistungselektronik-Anwendungen konzipiert.
Hohe Spannungsfestigkeit von 390 V
Hohe Strombelastbarkeit von 20 A
Geringe Einschaltspannung von 1,9 V
Weites Arbeitstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C
Ausgezeichnete Leistungsfähigkeit
Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Vielseitig einsetzbar in verschiedensten Anwendungen
Gehäuse: TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlfahne), TO-263AB
Baugruppengehäuse: D2PAK
Das Produkt NGB8206N ist veraltet. Kunden werden gebeten, sich über unsere Webseite an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Motorantriebe
Netzteile
Wechselrichter
Industriesteuerungen
Das offizielle Datenblatt für den NGB8206N ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte Produktinformationen zu erhalten.
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT
IGBT, 20A, 390V, N-CHANNEL
IGBT
IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
IGBT IGNITION 350V 20A D2PAK
IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
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IGNITION IGBT 20 A, 350 V, N-CHA
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IGBT 430V 18A 115W D2PAK
NGB8207ABNG ON
IGBT, 20A, 390V, N-CHANNEL
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