Deutsch
| Artikelnummer: | FQD7N10LTM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.4114 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2.9A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.8A (Tc) |
| Grundproduktnummer | FQD7N10 |
| FQD7N10LTM Einzelheiten PDF [English] | FQD7N10LTM PDF - EN.pdf |




FQD7N10LTM
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FQD7N10LTM ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse (TO-252). Er wurde für den Einsatz in verschiedenen Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
100V Drain-Source-Spannung
5,8A Dauer-Schutzstrom
Geringe On-Widerstände
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
RoHS-konform
Zuverlässige und effiziente Leistung
Eignet sich für Hochleistungsanwendungen
Einfache Integration in Schaltkreise
Kompaktes und platzsparendes Gehäuse
Cut Tape (CT) & Digi-Reel® Verpackung
DPAK-Gehäuse (TO-252-3) mit 2 Anschlüssen und TLS-Tab
Oberflächenmontage-Design
Dieses Produkt ist veraltet, aber es sind gleichwertige und alternative Modelle verfügbar.
Kunden wird geraten, unser Vertriebsteam über die Website zu kontaktieren, um weitere Informationen zu verfügbaren Alternativen zu erhalten.
Netzteile
Motorantriebe
Industrielle Steuerungen
Telekommunikationsgeräte
Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den FQD7N10LTM ist auf unserer Website verfügbar. Es wird empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden können Angebote über unsere Website anfordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über unser zeitlich begrenztes Angebot.
FAIRCHILD TO-252
MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
FAIRCHILD TO-252
MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
FQD7N10 FAIRCHI
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO-252
FQD7N10TF VB
FQD7N20L F
FQD7N20 F
FQD7N10L Fairchi
MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/02/13
2024/11/5
2024/12/17
2025/01/23
FQD7N10LTMonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|