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| Artikelnummer: | FDB12N50F |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | VBsemi |
| Teil der Beschreibung.: | FDB12N50F FAIRCHILD |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |
| FDB12N50F Einzelheiten PDF [English] | FDB12N50F PDF - EN.pdf |




FDB12N50F
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von FAIRCHILD-Markenprodukten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDB12N50F ist ein spezieller Hochleistungs-Hochspannungs-IC von FAIRCHILD, ausgestattet mit einem leistungsstarken, niederohmigen MOSFET in einem platzsparenden TO-263-Gehäuse.
Hochleistungs-MOSFET mit geringem ON-Widerstand
Optimiert für Hochfrequenzund Hochwirkungsgrad-Stromumwandlungsanwendungen
Hervorragende thermische Eigenschaften in einem kompakten TO-263-Gehäuse
Verbesserte Energieeffizienz bei der Stromwandlung
Reduzierung von Systemgröße und Kosten
Erhöhte Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit
TO-263-Gehäuse
Kompaktes und platzsparendes Design
Hervorragende thermische Eigenschaften für eine bessere Wärmeableitung
Der FDB12N50F ist ein aktiv beworbenes Produkt und befindet sich nicht in der nearing end-of-life-Phase.
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam.
Hochfrequenzund Hochwirkungsgrad-Stromumwandlungsanwendungen
Schaltnetzteile (SMPS)
Leistungsfaktor-Korrekturschaltungen (PFC)
Motorantriebe
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den FDB12N50F finden Sie auf unserer Webseite. Es wird empfohlen, es für detaillierte Produktinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den FDB12N50F direkt auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an, um von unseren zeitlich begrenzten Aktionen zu profitieren.
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
FDB12N50 FAIRCHILD
FDB10AN06AO FAI
FDB12N50FTM_WS Fairchild/ON Semiconductor
ON TO263
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
FDB12N50T FAIRCHI
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO263AB
FDB12N50U F
FDB10N20C VB
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
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