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| Artikelnummer: | FDB12N50T |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | FDB12N50T FAIRCHI |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |
| FDB12N50T Einzelheiten PDF [English] | FDB12N50T PDF - EN.pdf |




FDB12N50T
FAIRCHI. Y-IC ist ein Qualitäts distributor von FAIRCHI-Markenprodukten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FDB12N50T ist ein Hochleistungs-Leistung-MOSFET-Integrated-Circuit, der für vielfältige Anwendungen in der Stromumwandlung und Steuerung entwickelt wurde.
Hohe Übertragungsspannung von 500 V
Niediger On-Widerstand von 12 Milliohm
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Verbesserte Energieeffizienz in Leistungselektronik
Reduzierte Leistungsaufnahme und Wärmeentwicklung
Erhöhte Systemzuverlässigkeit und längere Lebensdauer
Der FDB12N50T wird in einem TO-263 Oberflächenmontage-Gehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet ein kleines Format, gute thermische Eigenschaften und einfache elektrische Verbindungsmöglichkeiten.
Das Produkt FDB12N50T ist aktiv und wird voraussichtlich nicht bald eingestellt. Aktuell sind keine direkten Ersatz- oder Alternativmodelle verfügbar. Kunden werden empfohlen, sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam über die Y-IC-Website zu wenden.
Schaltende Netzteile
Motorsteuerungen
Inverter
Blindstromkompensationsschaltungen
Allgemeine Hochleistungs-Schaltanwendungen
Das neueste und anerkannteste Datenblatt für den FDB12N50T ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden sollten das Datenblatt herunterladen, um vollständige technische Spezifikationen und Konstruktionsinformationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den FDB12N50T auf der Y-IC-Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Produktangebot.
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FAIRCHILD TO-263
FDB12N50FTM_WS Fairchild/ON Semiconductor
FDB12N50 FAIRCHILD
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
FDB12N50F FAIRCHILD
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK
FDB12P10 VB
MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
FDB12N50U F
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
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ON TO263
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