Deutsch
| Artikelnummer: | TSM036N03PQ56 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | 30V, 124A, SINGLE N-CHANNEL POWE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.8383 |
| 200+ | $0.7337 |
| 500+ | $0.7094 |
| 1000+ | $0.6966 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-PDFN (5x6) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 22A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 2.6W (Ta), 83W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2530 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 22A (Ta), 124A (Tc) |
| Grundproduktnummer | TSM036 |




TSM036N03PQ56
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Taiwan Semiconductor-Marke und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der TSM036N03PQ56 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von 30V und einem Dauer Drain-Strom (Id) von bis zu 22A bei einer Umgebungstemperatur von 25°C (Ta) oder 124A bei einer Gehäusetemperatur von 25°C (Tc). Er zeichnet sich durch einen niedrigen on-Widerstand (Rds(on)) von 3,6 mΩ bei 22A und 10V Gate-Source-Spannung (Vgs) aus. Damit eignet er sich hervorragend für effizientes Leistungsmanagement und Schaltanwendungen.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 30V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 22A bei 25°C Umgebungstemperatur (Ta)
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 124A bei 25°C Gehäusetemperatur (Tc)
Niedriger Rds(on) von 3,6 mΩ bei 22A und 10V Vgs
Gate-Ladung (Qg) von 50nC bei 10V Vgs
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C (TJ)
Hohe Strombelastbarkeit, niedriger on-Widerstand für eine verbesserte Effizienz, geeignet für eine Vielzahl von Leistungssteuerungs- und Schaltanwendungen.
Der TSM036N03PQ56 ist in einem 8-PDFN-Gehäuse (5x6) Oberflächenmontage (SMD) verpackt. Das Gehäuse verfügt über eine thermische Leitungfläche, um die Wärmeableitung und elektrische Eigenschaften zu verbessern.
Der TSM036N03PQ56 ist ein aktiv verfügbares Produkt. Derzeit sind keine äquivalenten oder alternativen Modelle bekannt. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Leistungsmanagement
Schaltstromversorgungen
Motorantriebe
Industrielle Steuerungen
Fahrzeugelektronik
Das aktuellste Datenblatt für den TSM036N03PQ56 steht auf unserer Website zum Download bereit. Wir empfehlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, ein Angebot für den TSM036N03PQ56 auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot.
30V, 90A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSC PDFN56
MOSFET N-CHANNEL 40V 135A TO252
MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
MOSFET N-CH 40V 18A/157A TO220
40V, 157A, SINGLE N-CHANNEL POWE
MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
30V, 30A, SINGLE N-CHANNEL POWER
MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
40V, 157A, SINGLE N-CHANNEL POWE
30V, 78A, SINGLE N-CHANNEL POWER
MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
40V, 135A, SINGLE N-CHANNEL POWE
MOSFET N-CH 40V 16A/124A TO220
MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/07/21
2025/02/10
2025/01/24
2025/02/23
TSM036N03PQ56Taiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|