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| Artikelnummer: | HS3J V6G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 6000+ | $0.0939 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
| Standardpaket | 3,000 |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75ns |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
| Andere Namen | HS3J V6G-ND HS3JV6G |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 8 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC) |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 600V |
| Strom - Richt (Io) | 3A |
| Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| HS3J V6G Einzelheiten PDF [English] | HS3J V6G PDF - EN.pdf |




DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
SMC
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
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DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
75NS, 3A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
75NS, 3A, 600V, HIGH EFFICIENT R
HS3J T/R Original
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HS3J V6GTSC (Taiwan Semiconductor) |
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