Deutsch
| Artikelnummer: | ES1JL R3G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1022 |
| 200+ | $0.0396 |
| 500+ | $0.0381 |
| 1000+ | $0.0375 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V |
| Supplier Device-Gehäuse | Sub SMA |
| Standardpaket | 1,800 |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35ns |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
| Andere Namen | ES1JL R3GTR ES1JL R3GTR-ND ES1JLR3GTR |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 21 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5µA @ 600V |
| Strom - Richt (Io) | 1A |
| Kapazität @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| ES1JL R3G Einzelheiten PDF [English] | ES1JL R3G PDF - EN.pdf |




DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Interface
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
TSC SOD123
TSC SOD123FL
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
ES1JL RQ TAIWAN
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2024/04/27
2025/01/15
2024/04/13
2025/06/16
ES1JL R3GTSC (Taiwan Semiconductor) |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|