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| Artikelnummer: | STGWT15H60F |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H SE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
| Testbedingung | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 24.5ns/118ns |
| Schaltenergie | 136µJ (on), 207µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3P |
| Serie | H |
| Leistung - max | 115 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 81 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 30 A |
| Grundproduktnummer | STGWT15 |
| STGWT15H60F Einzelheiten PDF [English] | STGWT15H60F PDF - EN.pdf |




STGWT15H60F
STMicroelectronics
IGBT-Trench-Feldstop mit 600 V, 30 A und 115 W Verlustleistung in Through-Hole-Gehäuse TO-3P.
IGBT-Trench-Feldstop-Typ
Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit (Breakdown Voltage): 600 V
Maximaler Kollektorstrom: 30 A
Maximaler Leistungsdurchsatz: 115 W
Gehäuse: Through-Hole-Gehäuse TO-3P
Effiziente Leistungsumwandlung und Steuerung
Hohe Leistungsdichte
Zuverlässige Performance
Gehäusetyp: TO-3P-3, SC-65-3
Anschlüsse: Through-Hole-Montage
Thermische und elektrische Eigenschaften, geeignet für Hochleistungsanwendungen
Dieses Produkt ist ein aktiver und verfügbarer Bauteil.
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