STMicroelectronics STGWT20V60F

Herstellerteilenummer

STGWT20V60F

Hersteller

Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Services.

Detaillierte Beschreibung

Der STGWT20V60F ist ein einziger IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von STMicroelectronics. Es handelt sich um einen trench-basierten Feldstop-IGBT, der für Hochleistungs-Schaltanwendungen entwickelt wurde.

Schlüsselmerkmale

- Spannung – Kollektor-Emitter Durchbruch (Max): 600 V

- Strom – Kollektor (Ic) (Max): 40 A

- Puls-Strom – Kollektor (Icm): 80 A

- Vce(on) (Max) bei Vge, Ic: 2,2 V bei 15 V, 20 A

- Max. Leistung: 167 W

- Schaltenergie: 200 µJ (on), 130 µJ (off)

- Gate-Ladung: 116 nC

- Td (on/off) bei 25 °C: 38 ns / 149 ns

Wichtigste Vorteile

- Die trench-basierte Feldstopp-Technologie sorgt für hohe Sperrspannungen und niedrige Leitungverluste

- Robustes Design für zuverlässige Leistung bei Hochleistungs-Schaltungen

- Kompaktes TO-3P-3 Gehäuse für effiziente Wärmeabfuhr

Verpackung

- Gehäuse: TO-3P-3, SC-65-3

- Montagetyp: Durchsteckmontage

- Geräteschutzgehäuse: TO-3P

Lebenszyklus

Der STGWT20V60F ist ein veraltetes Produkt. Kunden sollten unser Vertriebsteam kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

- Leistungs-Schalttechnik

- Motorsteuerung

- Wechselrichter

- Schweißgeräte

- Industrieelektronik

Datenblatt

Das offizielle technische Datenblatt für den STGWT20V60F ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.

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