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| Artikelnummer: | STGWA80H65DFB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT BIPO 650V 80A TO247-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.4874 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Testbedingung | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 84ns/280ns |
| Schaltenergie | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 Long Leads |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 85 ns |
| Leistung - max | 469 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 414 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 120 A |
| Grundproduktnummer | STGWA80 |
| STGWA80H65DFB Einzelheiten PDF [English] | STGWA80H65DFB PDF - EN.pdf |




STGWA80H65DFB
STMicroelectronics
Der STGWA80H65DFB ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von STMicroelectronics. Er ist ein Leistungshalbleiterbauelement, das für Hochleistungs-Schaltanwendungen verwendet wird.
Trench-Field-Stop-IGBT-Technologie
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (VCES) von 650 V
Kollektorstrom (IC) von 120 A
Pulsierter Kollektorstrom (ICM) von 240 A
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(on)) von 2 V bei 15 V, 80 A
Maximale Leistungsaufnahme von 469 W
Schaltenergie von 2,1 mJ (Ein) und 1,5 mJ (Aus)
Standard-Eingangstyp
Gate-Ladung von 414 nC
Anstiegsverzögerungszeit (td(on)) von 84 ns und Abschaltverzögerungszeit (td(off)) von 280 ns
Reverse-Wellenszeit (trr) von 85 ns
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C (TJ)
Hohe Leistungsfähigkeit
Geringe Leitungsund Schaltverluste
Zuverlässige Leistung in Hochleistungsanwendungen
Geeignet für den Einsatz in extremen Umgebungen
Durchsteckmontage
TO-247-3 Gehäuse
TO-247 mit langen Anschlüssen
Das Produkt STGWA80H65DFB ist veraltet. Kunden sollten sich auf unserer Webseite an unser Vertriebsteam wenden, um Informationen zu Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
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IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
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STGWA80H65DFBSTMicroelectronics |
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Zielpreis (USD)
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