Deutsch
| Artikelnummer: | STW11NB80 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.4142 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247-3 |
| Serie | PowerMESH™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 5.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 190W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STW11N |
| STW11NB80 Einzelheiten PDF [English] | STW11NB80 PDF - EN.pdf |




STW11NB80
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte der Marke STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der STW11NB80 ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von 800 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 11 A bei 25 °C. Er gehört zur PowerMESH™-Serie und verfügt über ein durchgehendes TO-247-3-Gehäuse.
N-Kanal-MOSFET
800 V Drain-Source-Spannung (Vdss)
11 A Dauer-Drainstrom (Id) bei 25 °C
PowerMESH™-Serie
TO-247-3 Durchgangsgehäuse
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Zuverlässige Leistung bei Hochleistungsanwendungen
Effiziente Energieumwandlung und Steuerung
Gehäusetyp: TO-247-3 Durchgangsgehäuse
Material: Kunststoff
Pin-Konfiguration: 3 Pins
Thermische Eigenschaften: 190 W Leistungsaufnahme (Tc)
Elektrische Eigenschaften: 800 V Drain-Source-Spannung, 30 V Gate-Source-Spannung
Das Produkt STW11NB80 ist veraltet.
Kunden werden gebeten, sich für Informationen zu Ersatzoder Alternativmodellen an unser Verkaufsteam über die Webseite zu wenden.
Hochleistungs-Schalten
Netzteile
Motorsteuerungen
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das maßgebliche Datenblatt für den STW11NB80 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den STW11NB80 auf unserer Webseite einzuholen. Erhalten Sie jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
STW10NK95K5 ST
ST TO-247
ST TO-247
STW11N80 ST
MOSFET N-CH 900V 9.2A TO247-3
STW11NK100Z,W11NK100Z,11NK100,11N100 ST
LED INDICATION SMD
ST TO-3P
LED WHITE DIFFUSED
LED WHITE DIFFUSED
LED INDICATION SMD
MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
LED INDICATION SMD
LED INDICATION SMD
ST TO-247
ST TO-247
STANLEY LED
ST TO-247
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2023/12/20
2025/06/30
2025/03/28
2025/06/30
STW11NB80STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|