Deutsch
| Artikelnummer: | STP3HNK90Z |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | SuperMESH™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2Ohm @ 1.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 90W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 690 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STP3HN |
| STP3HNK90Z Einzelheiten PDF [English] | STP3HNK90Z PDF - EN.pdf |




STP3HNK90Z
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STP3HNK90Z ist ein Hochvolt-N-Kanal-MOSFET aus der SuperMESH™-Serie von STMicroelectronics. Er ist für den Einsatz in verschiedenen Leistungsschaltanwendungen konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
800V Drain-Source-Spannung (Vdss)
3A Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25°C
Maximale On-Widerstand (Rds(on)) von 4,2Ω bei 1,5A, 10V
Maximaler Gate-Ladung (Qg) von 35nC bei 10V
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hohe Spannungsund Leistungsfähigkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Stromumwandlung
Zuverlässige Leistung in einem breiten Temperaturbereich
Geeignet für vielfältige Leistungsschaltanwendungen
Der STP3HNK90Z ist in einem TO-220-3 Durchsteckpaket verpackt. Dieses Gehäuse bietet thermische und elektrische Eigenschaften, die für Hochleistungsanwendungen ausgelegt sind.
Das Produkt STP3HNK90Z ist veraltet. Kunden werden gebeten, sich über die Y-IC-Website an unser Vertriebsteam zu wenden, um Informationen zu Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
Schaltnetzteile
Motorantriebe
Industrielle und Unterhaltungselektronik
Leistungskonvertierungsund Steuerungssysteme
Das offizielle Datenblatt für den STP3HNK90Z finden Sie auf der Y-IC-Website. Empfohlen wird, dieses für vollständige technische Details herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den STP3HNK90Z auf der Y-IC-Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot ein oder erfahren Sie mehr über unser zeitlich begrenztes Angebot.
ST TO-220
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220AB
STP3N100FI ST
MOSFET N-CH 60V 18A TO220FP
MOSFET N-CH 650V 30A TO220
ST TO-220
MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
ST TO-220
STP3N60E ST
ST TO-220
ST TO-220
MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
NFET T0220 SPCL 500V
VBSEMI TO-220
ST TO-220
STP3N100 ST
SEIKO EPSON
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2023/12/20
2025/06/30
2025/03/28
2025/06/30
STP3HNK90ZSTMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|