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| Artikelnummer: | STP34NM60N |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.9317 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 14.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 250W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2722 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 29A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STP34 |
| STP34NM60N Einzelheiten PDF [English] | STP34NM60N PDF - EN.pdf |




STP34NM60N
Y-IC ist ein renommierter Händler der Marke STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der STP34NM60N ist ein Hochspannungs-, Hochstrom-N-Kanal-MOSFET aus der MDmesh™ II-Serie von STMicroelectronics. Er wurde für den Einsatz in einer Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen konzipiert.
600 V Drain-Source-Spannung
29 A Dauer-Durchlassstrom bei 25 °C
Maximaler On-Widerstand von 105 mΩ bei 14,5 A und 10 V
Maximaler Gate-Ladung von 80 nC bei 10 V
Gate-Source-Spannungsbereich von -25 V bis +25 V
Maximaler Eingangskapazitanz von 2722 pF bei 100 V
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Zuverlässige Leistung bei Hochleistungsanwendungen
Kompatibilität mit einer Vielzahl von Gate-Ansteuermessungen mittels Gate-Spannung
Der STP34NM60N ist in einem Standard TO-220-Durchsteckgehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet hervorragende thermische Eigenschaften sowie elektrische Leistungsfähigkeit für Hochleistungsanwendungen.
Das Produkt ist aktiv erhältlich. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, wie beispielsweise den STP55NM60N und STP60NM60N. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam auf unserer Website.
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Das umfassendste Datenblatt für den STP34NM60N steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsinformationen herunterzuladen.
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