Deutsch
| Artikelnummer: | STP32NM50N |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N CH 500V 22A TO-220 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $7.3122 |
| 10+ | $6.6079 |
| 100+ | $5.4708 |
| 500+ | $4.7639 |
| 1000+ | $4.1492 |
| 2000+ | $3.9955 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 11A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 190W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1973 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 22A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STP32 |
| STP32NM50N Einzelheiten PDF [English] | STP32NM50N PDF - EN.pdf |




STP32NM50N
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte der Marke STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der STP32NM50N ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von STMicroelectronics. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 500V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von 22A bei 25°C.
N-Kanal-MOSFET
500V Drain-Source-Spannung
22A Dauerbelastbarer Drain-Strom bei 25°C
Niedriger On-Widerstand von 130 Milliohm bei 11A, 10V
Gate-Ladung von 62,5 nC bei 10V
±25V Gate-Source-Spannung
Eingangskapazität von 1973 pF bei 50V
Leistungsaufnahme von 190W bei Tc
Hervorragende Leistung für Hochspannungsund Hochstromanwendungen
Niedriger On-Widerstand für verbesserte Effizienz
Kompakte TO-220-Gehäuse für einfache Integration
Röhrchen-Verpackung
TO-220-3 Gehäuse
Durchkontaktierte Montage
Das STP32NM50N ist ein aktives Produkt.
Es gibt gleichwertige und alternative Modelle. Für weitere Informationen kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam.
Schaltende Netzteile
Motorantriebe
Industrielle Steuerungen
Automotive-Elektronik
Das maßgebliche Datenblatt für den STP32NM50N ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen Kunden, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den STP32NM50N auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unseren zeitlich begrenzten Aktionen zu profitieren.
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
STP33N10 VBsemi
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
MOSFET N-CH 100V 180A TO220
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
MOSFET N-CH 40V 160A TO220
MOSFET N CH 100V 180A TO-220
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
STP3401 VBsemi
STP32N06L ST
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
VBsemi TO-220F
VBSEMI TO220AB
RAKON SMD
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
ST TO-220
STP33N10FI ST
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
2026/06/15
2026/06/11
2026/06/5
2026/05/28
2026/05/22
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







STP32NM50NSTMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|