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| Artikelnummer: | STB6N60M2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.1352 |
| 10+ | $2.0384 |
| 30+ | $1.9806 |
| 100+ | $1.9214 |
| 500+ | $1.8954 |
| 1000+ | $1.8824 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.25A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 60W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 232 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB6N60 |
| STB6N60M2 Einzelheiten PDF [English] | STB6N60M2 PDF - EN.pdf |




STB6N60M2
Y-IC ist ein zuverlässiger Distributor von Produkten von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der STB6N60M2 ist ein N-Kanal-MOSFET aus der MDmesh II Plus Serie von STMicroelectronics. Er verfügt über eineDrain-Source-Spannung von 600 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom von 4,5 A bei 25°C.
N-Kanal-MOSFET
600 V Drain-Source-Spannung
4,5 A Dauer-Strom bei 25°C
Geringer On-Widerstand von 1,2 Ohm bei 2,25 A, 10 V
MDmesh II Plus Serie
Robuste und zuverlässige Leistung
Effizientes Energiemanagement
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Gehäuse: D2PAK (TO-263-3, DPak)
Verpackung: Band & Reel (TR)
Thermische Eigenschaften: Maximale Leistungsaufnahme von 60 W bei Tc
Elektrische Eigenschaften: Vgs(th) (Max.) von 4 V bei 250 A, Gate Charge (Qg) (Max.) von 8 nC bei 10 V, Eingangs-Kapazität (Ciss) (Max.) von 232 pF bei 100 V
Das STB6N60M2 ist ein aktives Produkt und befindet sich nicht in der Discontinued-Phase.
Es sind gleichwertige und alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam.
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Das offizielle Datenblatt für den STB6N60M2 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
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STB6N60M2STMicroelectronics |
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Zielpreis (USD)
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