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| Artikelnummer: | STB6N62K3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | SuperMESH3™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 90W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 875 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 620 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB6N |
| STB6N62K3 Einzelheiten PDF [English] | STB6N62K3 PDF - EN.pdf |




STB6N62K3
STMicroelectronics - Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von Produkten von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der STB6N62K3 ist ein Hochspannungs-, Hochleistungs-N-Kanal-Leistung MOSFET in einem D2PAK (TO-263)-Gehäuse.
Hochspannungs-, Hochleistungs-MOSFET
N-Kanal, Enhancement-Mode
D2PAK (TO-263) Gehäuse
Effiziente Stromumwandlung
Robuste und zuverlässige Leistung
Kompaktes und platzsparendes Design
Verpackung: Spule & band (Tape & Reel)
Thermische Eigenschaften: Max. Verlustleistung 90W (Tc)
Elektrische Eigenschaften: Drain-Source-Spannung (Vdss) 620V, Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25°C 5,5A (Tc), Rds On (Max) bei Id, Vgs 1,2 Ohm bei 2,8A, 10V, Vgs(th) (Max) bei Id 4,5V bei 50A, Gate-Ladung (Qg) (Max) bei Vgs 34nC bei 10V, Eingangs-Kapazität (Ciss) (Max) bei Vds 875pF bei 50V
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Zielpreis (USD)
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