Deutsch
| Artikelnummer: | STB11NM60T4 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.1234 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | MDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 160W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB11 |
| STB11NM60T4 Einzelheiten PDF [English] | STB11NM60T4 PDF - EN.pdf |




STB11NM60T4
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STB11NM60T4 ist ein Hochspannungs-, Hochstrom-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics. Er gehört zur MDmesh-Serie und ist für den Einsatz in verschiedenen Bereichen der Leistungswandlung und Steuerung konzipiert.
N-Kanal MOSFET\n650 V Drain-Source-Spannung\n11 A Dauer-Drain-Strom bei 25°C\nGeringer On-Widerstand (450 mΩ bei 5,5 A, 10 V)\nSchnelles Schalten und niedrige Gate-Ladung (30 nC bei 10 V)\nBetriebstemperaturbereich von -65°C bis 150°C\nOberflächenmontagegehäuse (TO-263-3, D2PAK)
Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit für Stromwandlungsanwendungen\nGeeignet für Hochspannungsund Hochstromkreise\nKompaktes Gehäuse für Oberflächenmontage in platzkritischen Designs
Der STB11NM60T4 ist in einem D2PAK (TO-263-3) Gehäuse für Oberflächenmontage verpackt. Er verfügt über 2 Anschlussleitungen sowie eine Anschlusslasche zum Befestigen. Das Gehäuse bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften für Hochleistungsanwendungen.
Der STB11NM60T4 wird für neue Designs nicht mehr empfohlen. Es stehen jedoch Ersatz- und Alternativmodelle von STMicroelectronics zur Verfügung. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen zu geeigneten Alternativen.
Schaltnetzteile\nMotorantrieb\nWechselrichter\nHochspannungs-Stromwandlungsschaltungen
Das aktuellste und maßgebliche Datenblatt für den STB11NM60T4 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Spezifikationen und Designhinweise zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den STB11NM60T4 auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um die besten Preise und Verfügbarkeiten zu sichern.
STB11NM60A ST
ST TO-263
ST TO-263
STB11NM60ND ST
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
ST TO263
ST TO-263
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
WIRE MARKER CLIP-ON VIOLET
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
ST TO263
STB11NM60A-1 STMicroel
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
WIRE MARKER CLIP-ON RED
STB11NM80 ST
STB11NM60N ST
MOSFET N-CH 100V D2PAK
STB11NM65N ST
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2025/06/10
2025/01/2
2024/01/20
2025/07/10
STB11NM60T4STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|