Deutsch
| Artikelnummer: | STB11NM60-1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | I2PAK |
| Serie | MDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 160W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB11N |
| STB11NM60-1 Einzelheiten PDF [English] | STB11NM60-1 PDF - EN.pdf |




STB11NM60-1
Y-IC ist ein Qualitätsvertreiber von Produkten von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STB11NM60-1 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von STMicroelectronics. Er ist Teil der MDmesh™-Serie und überzeugt durch herausragende Leistungsmerkmale.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 650V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 11A
On-Widerstand von 450mΩ
Gate-Ladung von 30nC
Betriebstemperaturbereich von -65°C bis 150°C
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für höhere Effizienz
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Der STB11NM60-1 ist im TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Gehäuse verpackt. Er eignet sich für Durchsteckmontage und hat eine Leistungsaufnahme von bis zu 160W.
Das Produkt STB11NM60-1 ist veraltet. Kunden wird empfohlen, sich über die Y-IC-Website an unser Verkaufsteam zu wenden, um Informationen zu verfügbaren Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
Der STB11NM60-1 eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Netzteile, Motorantriebe und industrielle Automatisierung.
Das zuverlässigste technische Datenblatt für den STB11NM60-1 ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den STB11NM60-1 auf der Y-IC-Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
STB11NK50Z ST
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
ST TO-263
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
ST TO263
ST TO-263
STB11NK40Z ST
MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
ST TO263
STB11NM60ND ST
STB11NM60A ST
STB11NK40 ST
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
STB11NM60A-1 STMicroel
ST TO-263
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
STB11NM60N ST
STB11NM60 ST
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/06/10
2025/01/2
2024/01/20
2025/07/10
STB11NM60-1STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|