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| Artikelnummer: | RFP12N10L |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Harris Corporation |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 12A, 5V |
| Verlustleistung (max) | 60W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |




RFP12N10L
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Der RFP12N10L ist ein N-Kanal-MOSFET-Transistor mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einem kontinuierlichen Drainstrom von 12 A bei 25 °C Gehäusetemperatur.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 100 V
Kontinuierlicher Drainstrom von 12 A (bei 25 °C)
Typischer On-Widerstand von 200 mΩ bei 12 A, 5 V
Gehäuse mit Durchsteckmontage TO-220-3
Hohe Leistungsfähigkeit
Geringer On-Widerstand für effizienten Stromschalterbetrieb
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungselektronik-Anwendungen
Verpackt im Tube
Gehäuse mit Durchsteckmontage TO-220-3
Abmessungen: 14,9 mm x 10,2 mm x 4,5 mm (L x B x H)
3-polige Konfiguration
Geeignet für thermisches Management
Dieses Produkt ist aktuell aktiv und in Produktion.
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Netzteile
Motorantriebe
Beleuchtungssysteme
Industrie-Steuerungen
Automobiltechnik
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