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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPSMN013-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Nexperia USA Inc. PSMN013-30YLC,115

Artikelnummer: PSMN013-30YLC,115
Hersteller / Marke: Nexperia
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56
Datenblätte:
1.PSMN013-30YLC,1.pdf ···

PCN -Baugruppe/Herkunft

Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022.pdf

Datenblätter

PSMN013-30YLC.pdf

PSMN013-30YLC,115 Seite PDF

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  • Nexperia USA Inc. PSMN013-30YLC,115 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. PSMN013-30YLC,115 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse LFPAK56, Power-SO8
    Serie -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.6mOhm @ 10A, 10V
    Verlustleistung (max) 26W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669
    Paket Tape & Reel (TR)
    Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Surface Mount
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 521 pF @ 15 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc)
    Grundproduktnummer PSMN013
    PSMN013-30YLC,115 Einzelheiten PDF [English] PSMN013-30YLC,115 PDF - EN.pdf
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  • Bria***lson

    Reliable FPGA. Worked smoothly in my MCU + signal integration project.

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  • Jess***Miller

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    2026/04/20

  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

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    2026/03/31

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    2026/03/23

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