Deutsch

| Artikelnummer: | APT70GR65B2SCD30 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Teil der Beschreibung.: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 70A |
| Testbedingung | 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 19ns/170ns |
| Supplier Device-Gehäuse | T-MAX™ [B2] |
| Serie | - |
| Leistung - max | 595 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| IGBT-Typ | NPT |
| Gate-Ladung | 305 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 260 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 134 A |
| Grundproduktnummer | APT70GR65 |
| APT70GR65B2SCD30 Einzelheiten PDF [English] | APT70GR65B2SCD30 PDF - EN.pdf |




APT70GR65B2SCD30
Y-IC, ein vertrauenswürdiger Distributor von hochwertigen Produkten der Microsemi Corporation, verpflichtet sich, Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen anzubieten.
Der APT70GR65B2SCD30 ist ein Ein-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) aus dem Produktportfolio der Microsemi Corporation. IGBTs sind Leistungshalbleiter, die die hohe Eingangsimpedanz eines MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) mit der hohen Stromkapazität und der niedrigen Sättigungsspannung eines Bipolartransistors kombinieren.
Nicht-Punch-Through (NPT)-IGBT-Technologie\nKollektor-Emitter-Durchbruchspannung (VCES) von 650V\nKollektor-Strom (IC) von 134A\nPulsierter Kollektor-Strom (ICM) von 260A\nNiedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(on)) von 2,4V bei 15V, 70A\nMaximale Leistungsverlustleistung von 595W\nGate-Ladung von 305nC\nEin-/Ausschaltverzögerungszeiten (Td(on/off)) von 19ns/170ns
Herausragende Leistungseigenschaften für eine Vielzahl von Industrieund Leistungselektronik-Anwendungen\nHohe Zuverlässigkeit und robustes Design für anspruchsvolle Betriebsumgebungen\nEffiziente Leistungsumwandlung und Steuerungsfähigkeit
Der APT70GR65B2SCD30 ist in einem TO-247-3 (T-MAX™ [B2]) Gehäuse verpackt, das durchbohrmontiert ist. Das Gehäuse bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften, was es für Hochleistungsanwendungen geeignet macht.
Das Produkt APT70GR65B2SCD30 ist veraltet, das heißt, es befindet sich nicht mehr in aktiver Produktion. Es sind jedoch möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kunden werden empfohlen, sich über die Website von Y-IC an das Vertriebsteam zu wenden, um weitere Informationen zu verfügbaren Optionen zu erhalten.
Motorantriebe\nLeistungsinverter\nUnterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)\nSchweißgeräte\nInduktionsheizungen\nSchaltregler (Switch-Mode Power Supplies)
Das aktuellste und offiziellste Datenblatt für den APT70GR65B2SCD30 ist auf der Website von Y-IC verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen und technische Informationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den APT70GR65B2SCD30 oder alternative Produkte auf der Website von Y-IC einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, informieren Sie sich oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um den besten Preis für hochwertige Microsemi-Produkte zu sichern.
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT 600V 121A 520W TO-247
IGBT 1200V 160A 961W TO247
IGBT 650V 134A 595W TO-247
APT New
IGBT 600V 121A 520W TO-247
APT New
APT New
APT New
IGBT 1200V 160A 961W TO264
APT New
SICFET N-CH 700V 65A D3PAK
APT New
IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
APT New
IGBT 600V 121A 520W TO-264
IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
SICFET N-CH 700V 49A SOT227
SICFET N-CH 700V 65A TO247
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/06/18
2024/12/4
2024/11/4
2025/01/21
APT70GR65B2SCD30Microsemi Corporation |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|