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| Artikelnummer: | APT68GA60LD40 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Micrel / Microchip Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 121A 520W TO-264 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $28.0325 |
| 200+ | $11.1852 |
| 500+ | $10.812 |
| 1000+ | $10.6275 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
| Testbedingung | 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 21ns/133ns |
| Schaltenergie | 715µJ (on), 607µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-264 [L] |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 22 ns |
| Leistung - max | 520 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-264-3, TO-264AA |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | PT |
| Gate-Ladung | 198 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 202 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 121 A |
| Grundproduktnummer | APT68GA60 |
| APT68GA60LD40 Einzelheiten PDF [English] | APT68GA60LD40 PDF - EN.pdf |




APT68GA60LD40
Microchip Technology, ein renommierter Hersteller hochwertiger Leistungshalbleiter. Y-IC ist autorisierter Distributor der Microchip-Produkte und sorgt dafür, dass Kunden die besten Produkte und Services erhalten.
Der APT68GA60LD40 ist ein Hochleistungs-Einzel-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) aus der POWER MOS 8™-Serie von Microchip. Er ist für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik konzipiert.
600V Collector-Emitter Spannungsfestigkeit
121A Collector-Strom (maximal)
202A Puls-Strom
2,5V Collector-Emitter Sättigungsspannung
520W maximale Verlustleistung
Kurzes Schaltverhalten
Hervorragende elektrische Leistungsfähigkeit für energieeffiziente Stromumwandlung
Robustes und zuverlässiges Design für anspruchsvolle Anwendungen
Optimiert für diverse Leistungselektronikund Motorsteuerungssysteme
Der APT68GA60LD40 IGBT ist in einem TO-264-3 bzw. TO-264AA Durchsteckgehäuse verpackt. Das Gehäuse bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften für eine effiziente Leistungsfähigkeit.
Der APT68GA60LD40 ist ein aktives und aktuell verfügbares Produkt von Microchip. Es sind keine unmittelbaren Produktionsstopps geplant. Kunden können bei Bedarf Kontakt mit dem Vertriebsteam von Y-IC aufnehmen, um Informationen zu passenden Alternativmodellen zu erhalten.
Schaltende Netzteile
Motorantriebe und Steuerungen
Schweißgeräte
Induktionsheizungen
USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)
Industrieautomation und Steuerungssysteme
Das aktuellste und zuverlässigste Datenblatt für den APT68GA60LD40 IGBT ist auf der Webseite von Y-IC verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, auf der Webseite von Y-IC ein Angebot für den APT68GA60LD40 IGBT anzufordern. Klicken Sie auf die Schaltfläche ‚Angebot anfordern‘, um ein individuelles Angebot zu erhalten und die verfügbaren Preis- und Kaufoptionen zu prüfen.
SICFET N-CH 700V 65A TO247
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT 600V 130A 431W SOT227
IGBT 650V 134A 595W TO-247
IGBT 600V 121A 520W TO-247
SICFET N-CH 700V 49A SOT227
IGBT 1200V 160A 961W TO264
IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
IGBT 600V 198A 833W TO264
IGBT 600V 100A 833W TMAX
MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
MOSFET N-CH 600V 70A TO264
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
IGBT 600V 121A 520W TO-247
MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP
IGBT 1200V 160A 961W TO247
MOSFET N-CH 600V 70A TO264
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APT68GA60LD40Microchip Technology |
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Zielpreis (USD)
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