Deutsch
| Artikelnummer: | APT45GR65SSCD10 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Teil der Beschreibung.: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Testbedingung | 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 15ns/100ns |
| Supplier Device-Gehäuse | D3Pak |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 80 ns |
| Leistung - max | 543 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | NPT |
| Gate-Ladung | 203 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 224 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 118 A |
| Grundproduktnummer | APT45GR65 |
| APT45GR65SSCD10 Einzelheiten PDF [English] | APT45GR65SSCD10 PDF - EN.pdf |




APT45GR65SSCD10
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Microsemi Corporation-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der APT45GR65SSCD10 ist ein Hochleistungs-isolierter Gate-Bipolar-Transistor (IGBT) von Microsemi Corporation. Das Bauteil ist für den Einsatz in verschiedensten Anwendungen der Energieumwandlung und -steuerung konzipiert.
650 V Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit
Maximaler Kollektor-Strom von 118 A
Maximaler Puls-Kollektor-Strom von 224 A
Max. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter von 2,4 V bei 15 V Gate-Emitter-Spannung und 45 A Kollektor-Strom
Max. Leistungsverlust von 543 W
Gate-Ladung von 203 nC
Einschaltund Ausschaltverzögerungszeiten von 15 ns bzw. 100 ns
Rückwärtsrekoverzeit von 80 ns
Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Hervorragende Schaltleistungsfähigkeit
Für vielfältige Energieumwandlungsund Steuerungsanwendungen geeignet
Der APT45GR65SSCD10 ist in einem TO-263-3 Gehäuse verpackt, auch D2PAK (2 Anschlüsse + Kühl-Tab) genannt. Dieses Oberflächenmontagegehäuse bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften.
Der APT45GR65SSCD10 ist ein veraltetes Produkt. Kunden wird empfohlen, über unsere Webseite Kontakt mit unserem Vertrieb aufzunehmen, um Informationen zu vergleichbaren oder alternativen Modellen zu erhalten.
Schaltende Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Schweißgeräte
Induktionsheizungen
USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)
Das zuverlässigste Datenblatt für den APT45GR65SSCD10 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte Produktspezifikationen und technische Daten herunterzuladen.
Kunden werden gebeten, auf unserer Webseite Angebote für den APT45GR65SSCD10 anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unserem aktuellen Sonderangebot zu profitieren.
APT461B APTMICROS
APT461A APTMICROS
IGBT 650V 92A 357W TO-247
APT461DG APTMICROS
MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
IGBT Modules
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
APT461AG APTMICROS
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT MODULE 900V 87A 284W ISOTOP
APT New
MOSFET N-CH 1000V 45A SOT227
APT461CG APTMICROS
APT New
IGBT 1200V 100A 625W TO247
APT45GR65S Microsemi
IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
APT New
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/01/22
2025/03/28
2025/01/21
2025/02/10
APT45GR65SSCD10Microsemi Corporation |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|