Deutsch

| Artikelnummer: | APT45GR65B2DU30 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Microsemi |
| Teil der Beschreibung.: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Testbedingung | 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 15ns/100ns |
| Supplier Device-Gehäuse | T-MAX™ [B2] |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 80 ns |
| Leistung - max | 543 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | NPT |
| Gate-Ladung | 203 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 224 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 118 A |
| Grundproduktnummer | APT45GR65 |
| APT45GR65B2DU30 Einzelheiten PDF [English] | APT45GR65B2DU30 PDF - EN.pdf |




APT45GR65B2DU30
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von Microsemi Corporation Produkten. Wir gewährleisten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der APT45GR65B2DU30 ist ein Hochleistungs-Hochspannungs-Isolations-Gate- bipolar-Transistor (IGBT) von Microsemi Corporation. Er wurde für den Einsatz in verschiedenen Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen entwickelt.
NPT IGBT-Technologie
Kollektor-Emitter-Spannungsdurchbruch bei 650 V
Maximaler Kollektorstrom von 118 A
Maximaler Puls-Kollektorstrom von 224 A
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 2,4 V
Maximale Leistung von 543 W
Gate-Ladung von 203 nC
Anund Abschaltverzögerungszeiten von 15 ns bzw. 100 ns
Rückwärts-Erholungszeit von 80 ns
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Gehäuse: TO-247-3
Hohe Leistungsfähigkeit
Geringe Leitungverluste
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Zuverlässige und robuste Leistung
Für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet
Der APT45GR65B2DU30 ist in einem TO-247-3-Durchsteckgehäuse verpackt. Das Gehäuse bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften für Hochleistungsanwendungen.
Der APT45GR65B2DU30 ist ein aktives Produkt. Entsprechende oder alternative Modelle sind möglicherweise erhältlich. Kunden werden empfohlen, unseren Vertrieb über die Website für weitere Informationen zu kontaktieren.
Strominverter
Motorantriebe
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
Schweißgeräte
Induktionsheizungen
Plasmaschneiden
Weitere industriellen Hochleistungsanwendungen
Das offizielle Datenblatt für den APT45GR65B2DU30 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für die neuesten Produktinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot, um die besten Preise und Verfügbarkeiten für den APT45GR65B2DU30 zu erhalten.
IGBT Modules
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
APT New
IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
MOSFET N-CH 1000V 45A SOT227
APT461CG APTMICROS
IGBT 1200V 100A 625W TO247
APT461A APTMICROS
IGBT 650V 92A 357W TO-247
APT461AG APTMICROS
APT45GR65S Microsemi
IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
APT New
APT461DG APTMICROS
APT New
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
APT45GP120B APT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
APT461B APTMICROS
APT New
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/01/26
2024/10/30
2025/01/22
2025/05/30
APT45GR65B2DU30Microsemi Corporation |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|