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| Artikelnummer: | RM1200DG-66S |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Mitsubishi Materials U.S.A |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT Modules |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $275.825 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Serie | - |
| RoHs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Bedingung | New Original Stock |
| Garantie | 100% Perfect Functions |
| Vorlaufzeit | 2-3days after payment. |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Zahlungsmittel | PayPal / Credit Card / Telegraphic Transfer |
| Versand per | DHL / Fedex / UPS |
| Hafen | HongKong |
| Anfrage-E-Mail | Info@Y-IC.com |
| RM1200DG-66S Einzelheiten PDF [English] | RM1200DG-66S PDF - EN.pdf |




RM1200DG-66S
Mitsubishi
Das RM1200DG-66S ist ein Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)-Modul von Mitsubishi. Es ist speziell für Hochleistungsanwendungen wie Motorantriebe, Leistungskonverter und industrielle Geräte konzipiert.
Hochleistungs-IGBT-Modul
Nennstrom von 1200 A
Nennspannung von 3300 V
Dual-Pack-Konfiguration
Zuverlässiges und robustes Design
Hohe Effizienz
Einfache Integration in Energiesysteme
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Verpackung des IGBT-Moduls
Dual-Pack-Konfiguration
Thermische und elektrische Eigenschaften für Hochleistungsanwendungen optimiert
Dieses Produkt befindet sich nicht in der Auslaufphase
Verfügbare Ersatzoder Alternativmodelle:
- RM1400DG-66S
- RM1600DG-66S
Bei zusätzlichem Informationsbedarf kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam.
Motorantriebe
Leistungskonverter
Industrieanlagen
Hochleistungs-Elektronik
Das definitive Datenblatt für das RM1200DG-66S ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
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