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| Artikelnummer: | RS1E130GNTB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4265 |
| 200+ | $0.1651 |
| 500+ | $0.1593 |
| 1000+ | $0.1564 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-HSOP |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 13A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 22.2W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RS1E |
| RS1E130GNTB Einzelheiten PDF [English] | RS1E130GNTB PDF - EN.pdf |




RS1E130GNTB
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten von ROHM Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RS1E130GNTB ist ein N-Kanal-MOSFET von ROHM Semiconductor. Er verfügt über eine Drain-Quellenspannung von 30 V, einen dauerhaften Drainstrom von 13 A und einen niedrigen On-Widerstand.
N-Kanal-MOSFET
30 V Drain-Quellenspannung
13 A Dauer-Drainstrom
Niedriger On-Widerstand
Hohe Effizienz und geringer Energieverlust
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen
Cut Tape (CT) & Digi-Reel® Verpackung
8-PowerTDFN-Gehäuse
Oberflächenmontage
Das RS1E130GNTB ist ein aktives Produkt
Alternativmodelle:
- RS1E120GNTB (12 V, 13 A)
- RS1E150GNTB (15 V, 13 A)
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