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| Artikelnummer: | RS1E150GNTB |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.223 |
| 200+ | $0.0889 |
| 500+ | $0.0861 |
| 1000+ | $0.0846 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-HSOP |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 15A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 22.9W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 15A (Ta) |
| Grundproduktnummer | RS1E |
| RS1E150GNTB Einzelheiten PDF [English] | RS1E150GNTB PDF - EN.pdf |




RS1E150GNTB
ROHM Semiconductor ist ein führender Hersteller hochwertiger elektronischer Komponenten. Y-IC ist ein autorisierter Händler von ROHM-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der RS1E150GNTB ist ein einzelner N-Kanal-MOSFET von ROHM Semiconductor. Er wurde für eine Vielzahl von Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen entwickelt.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 30 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 15 A bei 25°C
Maximale On-Widerstand (RdsOn) von 8,8 mΩ bei 15 A, 10 V
Maximale Gate-Ladung (Qg) von 10 nC bei 10 V
±20 V Gate-Source-Spannung (Vgs)
Maximale Eingangskapazität (Ciss) von 590 pF bei 15 V
Maximale Verlustleistung von 3 W bei 25°C
Maximale Junction-Temperatur (TJ) von 150°C
Ausgezeichnete Leistungsfähigkeit und Effizienz
Geringer On-Widerstand für verbesserte Energieeinsparung
Kompakte Oberflächenmontage-Packung
Zuverlässige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen
Der RS1E150GNTB ist in einer 8-HSOP (8-PowerTDFN) Oberflächenmontageverpackung erhältlich. Er ist im gekürzten Band und im Digi-Reel®-Verpackungsformat verfügbar.
Der RS1E150GNTB ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle von ROHM Semiconductor. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam.
Leistungsmanagement
Schaltkreise
Motorsteuerungen
Beleuchtungsanwendungen
Industrielle Elektronik
Das aktuellste Datenblatt für den RS1E150GNTB ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Details zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den RS1E150GNTB auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an und profitieren Sie von unserem zeitlich begrenzten Angebot!
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RS1E150GNTBRohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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