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| Artikelnummer: | RGPR30BM40HRTL |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 430V 30A IGNITION TO252 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.1029 |
| 10+ | $1.7635 |
| 30+ | $1.5503 |
| 100+ | $1.3313 |
| 500+ | $1.2327 |
| 1000+ | $1.1906 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 430 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.0V @ 5V, 10A |
| Testbedingung | 300V, 8A, 100Ohm, 5V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 500ns/4µs |
| Schaltenergie | - |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-252 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Leistung - max | 125 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | - |
| Gate-Ladung | 22 nC |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 30 A |
| Grundproduktnummer | RGPR30 |
| RGPR30BM40HRTL Einzelheiten PDF [English] | RGPR30BM40HRTL PDF - EN.pdf |




RGPR30BM40HRTL
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von ROHM Semiconductor, der seinen Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen bietet.
Der RGPR30BM40HRTL ist ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von ROHM Semiconductor, der für verschiedene Leistungsanwendungen konzipiert wurde.
– Kollektor-Emitter Spannungsdurchbruch (max.): 430 V\n– Max. Kollektorstrom (Ic): 30 A\n– Vce(on) (max.) bei Vge, Ic: 2,0 V bei 5 V, 10 A\n– Max. Leistung: 125 W\n– Gate-Ladung: 22 nC\n– On/Off-Zeit (Td): 500 ns / 4 μs bei 25°C\n– Betriebstemperatur: -40°C bis 175°C (TJ)\n– Automobilzulassung: AEC-Q101 qualifiziert\n– Oberflächenmontage: TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper), SC-63 Gehäuse
– Zuverlässige und robuste Leistung für Automobil- und Industrieanwendungen\n– Effiziente Leistungssteuerung und schnelle Schaltzeiten\n– Breiter Betriebstemperaturbereich für verschiedenste Umgebungsbedingungen\n– Automobil-grade Zertifizierung für Hochzuverlässigkeitsanwendungen
– Cut Tape (CT) & Digi-Reel® Verpackung\n– Gehäuse: TO-252-3, DPAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper), SC-63
Dieses Produkt wird für neue Designs nicht empfohlen.\nKunden werden gebeten, unser Verkaufsteam hinsichtlich geeigneter oder alternativer Modelle zu kontaktieren.
– Automobil Elektronik\n– Industrielle Motorsteuerungen\n– Netzteile\n– Wechselrichter\n– Schaltende Leistungshalbleiter
Das offizielle Datenblatt für den RGPR30BM40HRTL ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, auf unserer Website Angebote für den RGPR30BM40HRTL anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unseren zeitlich begrenzten Aktionen zu profitieren.
RGP50M VISHAY-
430V 20A, LPDL, IGNITION IGBT FO
DIODE GEN PURP 1KV 500MA AXIAL
DIODE GEN PURP 1KV 500MA AXIAL
DIODE GEN PURP 1KV 500MA AXIAL
DIODE GEN PURP 1KV 500MA AXIAL
ROHM TO-263
DIODE GEN PURP 1KV 500MA AXIAL
IGBT 460V 20A TO252
IGBT 460V 20A IGNITION LPDS
DIODE GEN PURP 1KV 500MA AXIAL
RGP50J VISHAY-
RF RCVR GPS 1575.42MHZ MODULE
IGBT 460V 20A TO252
RF RCVR GPS 1575.42MHZ MODULE
DIODE GEN PURP 1KV 500MA AXIAL
DIODE GEN PURP 1KV 500MA AXIAL
RF RCVR GPS 1575.42MHZ MODULE
IGBT 430V 30A IGNITION LPDS
RGP50K VISHAY-
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RGPR30BM40HRTLRohm Semiconductor |
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