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| Artikelnummer: | R6035KNZ1C9 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 18.1A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 379W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
| Grundproduktnummer | R6035 |
| R6035KNZ1C9 Einzelheiten PDF [English] | R6035KNZ1C9 PDF - EN.pdf |




R6035KNZ1C9
ROHM Semiconductor ist ein Qualitätshersteller des Produkts R6035KNZ1C9, und Y-IC ist ein zuverlässiger Distributor, der Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen bietet.
Der R6035KNZ1C9 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 600 V und einem Dauer-Drain-Strom von 35 A bei 25 °C. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand und schnelle Schaltzeiten aus, was ihn für eine Vielzahl von Anwendungen in der Stromumwandlung und -steuerung geeignet macht.
N-Kanal-MOSFET
600 V Drain-Source-Spannung
35 A Dauer-Drain-Strom bei 25 °C
Niedriger On-Widerstand
Schnelle Schaltzeiten
Effiziente Stromumwandlung und Steuerung
Zuverlässige und langlebige Leistung
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungsbereichen
Der R6035KNZ1C9 ist in einem TO-247-3 Gehäuse mit Through-Hole-Befestigung verpackt. Die Spezifikationen sind:
Gehäusetyp: TO-247-3
Montagetyp: Durchsteckmontage
Thermische Eigenschaften: 379 W Leistungsaufnahme bei Tc
Elektrische Eigenschaften: ±20 V Gate-Source-Spannung, 3000 pF Eingangskapazität bei 25 V
Das Produkt R6035KNZ1C9 ist veraltet und wird nicht mehr aktiv produziert. Es sind jedoch möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Kunden werden empfohlen, sich an das Vertriebsteam von Y-IC zu wenden, um weitere Informationen zu Ersatzlösungen zu erhalten.
Stromwandler
Motorantriebe
Industriesteuerungssysteme
Vorschaltgeräte für Beleuchtung
USV-Anlagen (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)
Das wichtigste technische Datenblatt für den R6035KNZ1C9 ist auf der Website von Y-IC verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsinformationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den R6035KNZ1C9 auf der Website von Y-IC anzufordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot, um von unserem zeitlich begrenzten Spezialpreis zu profitieren und die besten Konditionen für diesen Hochleistungs-MOSFET zu sichern.
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