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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelR6035ENZ1C9
Rohm Semiconductor
Image kann eine Darstellung sein.
siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Rohm Semiconductor R6035ENZ1C9

Artikelnummer: R6035ENZ1C9
Hersteller / Marke: LAPIS Technology
Teil der Beschreibung.: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Datenblätte:
1.R6035ENZ1C9.pdf ···

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510+ $1.7421
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3990+ $1.6631
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  • Rohm Semiconductor R6035ENZ1C9 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor R6035ENZ1C9 .
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
    Vgs (Max) ±20V
    Technologie MOSFET (Metal Oxide)
    Supplier Device-Gehäuse TO-247
    Serie -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs 102mOhm @ 18.1A, 10V
    Verlustleistung (max) 120W (Tc)
    Verpackung / Gehäuse TO-247-3
    Paket Tube
    Betriebstemperatur 150°C (TJ)
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Befestigungsart Through Hole
    Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2720 pF @ 25 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
    Typ FET N-Channel
    FET-Merkmal -
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
    Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V
    Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)
    R6035ENZ1C9 Einzelheiten PDF [English] R6035ENZ1C9 PDF - EN.pdf
  • Rückgabe -Richtlinien
    Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
    - Originalrechnungsnummer
    - Foto der Teile
    - Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
    Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.
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  • Qualitätskontrolle (QC)

    Alle Produkte unterliegen einer strengen Eingangskontrolle und Qualitätskontrolle.
    Durch standardisierte Tests und kontinuierliche Prozessverbesserung stellen wir die Teileauthentizität, korrekte Spezifikationen und zuverlässige Leistung sicher.
    Qualitätsgarantie

    Verpackung

    ESD-Antistatikschutz.
    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt und mit ESD-Antistatikschutz versendet.Das Etikett auf der externen ESD-Verpackung enthält unsere Unternehmensinformationen: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie sich in ausgezeichnetem Zustand befinden, und stellen sicher, dass die Teile neu und original sind und den Datenblattspezifikationen entsprechen.Nachdem wir bestätigt haben, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie per Global Express.

R6035ENZ1C9 Produktdetails

Herstellerteilenummer

R6035ENZ1C9

Hersteller

Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von ROHM Semiconductor-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der R6035ENZ1C9 ist ein Hochspannungs-, Hochstrom-N-Kanal-MOSFET von ROHM Semiconductor. Er wurde für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen der Stromkonvertierung und Steuerung entwickelt.

Schlüsselmerkmale

600 V Drain-Source-Spannung

35 A Dauerboardstrom

Maximale On-Widerstand von 102 mΩ

Maximaler Gate-Ladung von 110 nC

Gate-Source-Spannung von -20 V bis +20 V

Wichtigste Vorteile

Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit

Geringer On-Widerstand für verbesserte Effizienz

Zuverlässiges und robustes MOSFET-Design

Verpackung

Der R6035ENZ1C9 ist in einem TO-247-3 Durchsteckgehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leitfähigkeit.

Lebenszyklus

Der R6035ENZ1C9 ist ein auslaufendes Produkt. Es sind jedoch gleichwertige und alternative Modelle erhältlich. Kunden wird empfohlen, für weitere Informationen unseren Vertrieb über unsere Website zu kontaktieren.

Schlüsselanwendungsbereiche

Netzteile

Motorsteuerungen

Wechselrichter

Schaltverstärker

Datenblatt

Das umfassendste Datenblatt für den R6035ENZ1C9 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte Produktinformationen herunterzuladen.

Jetzt Angebot anfordern

Kunden wird empfohlen, Angebote für den R6035ENZ1C9 auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.

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Benutzerbewertung

  • Jess***Miller

    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

    2026/04/20

  • Powe***sign_Guy

    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

    2026/04/17

  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

    2026/04/8

  • Vipe***rcuit

    One unit failed during initial power-up, but the rest were fine. Mixed experience overall.

    2026/03/31

  • Hiro*** T.

    Perfect replacement part. My system worked immediately after installation.

    2026/03/23

  • Yuki***

    Works very well. I used AD8108ASTZ for video switching project. Stable and no noise problem.

    2026/03/20

  • Jaso***.

    Used the AD8108ASTZ in a video routing board and it worked perfectly. Clean switching and no noticeable signal degradation.

    2026/03/9

  • Devo***.

    Exactly as described. Great price for a pack of 10.

    2026/03/4

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    Moderate quality chip. Works fine at room temperature, but in high temp conditions it seemed to drift. Not terrible, but not premium either.

    2026/02/28

  • Core***nalSourcing

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    2026/02/3

  • Nano***icBuyer

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    2026/01/28

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    2026/01/19

  • Fusi***oreBuyer

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    2026/01/16

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    Good

    2026/01/9

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    2025/12/29

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    2025/12/25

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    2025/11/20

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    2025/11/11

  • Quin***avis

    Needed 250 pcs of LT4256-2IS8#PBF on short notice. They split reels for me, kept the MOQ reasonable, and sent full traceability docs + RoHS/REACH. Will buy again.

    2025/11/3

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    2023/06/21

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    2023/04/27

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    2022/07/1

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    2021/03/4

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    2020/09/10

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